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1N6273A

更新时间: 2024-10-13 22:38:07
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6273A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.72其他特性:HIGH RELIABILITY
最大击穿电压:12.6 V最小击穿电压:11.4 V
击穿电压标称值:12 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:16.7 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.52 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:10.22 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6273A 数据手册

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