1N5819

更新时间： 2024-02-14 02:42:42

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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描述
LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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1N5819 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.45 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5819 数据手册

1N581x

LOW DROP POWER SCHOTTKY RECTIFIER

MAIN PRODUCTS CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

T_j

1 A

40 V

150°C

0.45 V

V_F(max)

FEATURES AND BENEFITS

VERY SMALL CONDUCTION LOSSES

NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES

EXTREMELY FAST SWITCHING

LOW FORWARD VOLTAGE DROP

AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED

DO41

DESCRIPTION

Axial Power Schottky rectifier suited for Switch

Mode Power Supplies and high frequency DC to

DC converters. Packaged in DO41 these devices

are intended for use in low voltage, high frequency

inverters, free wheeling, polarity protection and

small battery chargers.

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Value

Symbol

Parameter

Unit

1N5817 1N5818 1N5819

V_RRM

I_F(RMS)

I_F(AV)

Repetitive peak reverse voltage

RMS forward current

Average forward current

T_L= 125°C

δ = 0.5

I_FSM

Surge non repetitive forward

current

tp = 10 ms

Sinusoidal

P_ARM

1200

900

Repetitive peak avalanche

power

tp = 1µs Tj = 25°C

T_stg

- 65 to + 150

150

°C

Storage temperature range

Maximum operating junction temperature *

Critical rate of rise of reverse voltage

dV/dt

10000

V/µs

dPtot

* :

thermal runaway condition for a diode on its own heatsink

dTj

Rth(j − a)

July 2003 - Ed: 4A

1/5

12 3 4 5

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