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15N06G-TA3-T

更新时间： 2024-11-18 07:15:27

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	240K
描述
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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15N06G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

15N06G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

15N06

Power MOSFET

15A, 60V N-CHANNEL

POWER MOSFET

TO-220

TO-220F

TO-252

DESCRIPTION

The UTC 15N06 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* R_DS(ON)<100mΩ @V_GS=5V, I_D=7.5A

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SOP-8

SYMBOL

Drain

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

15N06L-TA3-T

15N06L-TF3-T

15N06L-TN3-R

15N06L-TN3-T

15N06L-S08-R

15N06L-S08-T

15N06G-TA3-T

15N06G-TF3-T

15N06G-TN3-R

15N06G-TN3-T

15N06G-S08-R

15N06G-S08-T

TO-220

TO-220F

TO-252

SOP-8

Tube

Tape Reel

Tube

D Tape Reel

Tube

SOP-8

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-260.D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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