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15KP170A-5RE3

更新时间: 2024-11-02 05:12:51
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
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2页 84K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 170V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

15KP170A-5RE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PBCY-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.59
最大击穿电压:209 V最小击穿电压:189 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PBCY-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:15000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:7 W
最大重复峰值反向电压:170 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

15KP170A-5RE3 数据手册

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