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15ETH03STRL

更新时间: 2024-01-26 10:37:37
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
9页 308K
描述
Ultrafast Rectifier

15ETH03STRL 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-263包装说明:ROHS COMPLIANT, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.68Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:HYPER FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:140 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向恢复时间:0.04 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

15ETH03STRL 数据手册

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15ETH03SPbF, 15ETH03-1PbF  
Bulletin PD-21031 07/05  
100  
10  
1
1000  
Tj = 175˚C  
100  
10  
150˚C  
125˚C  
1
100˚C  
25˚C  
0.1  
0.01  
0.001  
Tj = 175˚C  
Tj = 125˚C  
Tj = 25˚C  
0
50 100 150 200 250 300  
Reverse Voltage-VR (V)  
Fig.2-Typical Values Of Reverse Current  
Vs. Reverse Voltage  
1000  
T
= 25˚C  
J
100  
10  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.6  
0
50 100 150 200 250 300  
Forward Voltage Drop-VFM (V)  
Fig.1-Typical Forward Voltage Drop Characteristics  
Reverse Voltage-V (V)  
Fig.3-Typical Junction CaRpacitance  
Vs. Reverse Voltage  
10  
D = 0.50  
D = 0.20  
D = 0.10  
D = 0.05  
D = 0.02  
D = 0.01  
1
0.1  
P
DM  
t
1
t
2
Notes:  
1. Duty factor D = t1/ t2  
.
Single Pulse  
(Thermal Resistance)  
2. Peak Tj = Pdm x ZthJC + Tc  
.
0.01  
0.00001  
0.0001  
t1,Rectangular Pulse Duration (Seconds)  
Fig.4-Max. Thermal Impedance Z thJC Characteristics  
0.001  
0.01  
0.1  
1
www.irf.com  
3

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