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12NN10G-S08-R

更新时间： 2022-09-11 01:33:07
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描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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12NN10G-S08-R 数据手册

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12NN10  
Body Diode Reverse Recovery Time (Note 1)  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
Note: 1. Pulse test  
Preliminary  
Power MOSFET  
tRR  
VGS=0V, IS=2A,  
dIF/dt=100A/μs  
40  
75  
ns  
QRR  
nC  
„
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 3  
QW-R502-506.a  
www.unisonic.com.tw  
1234

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12NN10L-S08-R UTC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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