生命周期: | Transferred | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW POWER LOSS |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.85 V | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 40 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 90 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
11EQ09TA1B2 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, |
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11EQ09TA2B2 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, |
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11EQ09TA2B5 | NIEC | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, |
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11EQ10 | NIEC | SBD |
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11EQ10_15 | NI | SBD |
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11EQ10_2015 | NI | SBD |
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