5秒后页面跳转
11EQS10 PDF预览

11EQS10

更新时间: 2024-01-13 10:38:34
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
SBD

11EQS10 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:MINIATURE PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.4Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.85 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:40 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

11EQS10 数据手册

 浏览型号11EQS10的Datasheet PDF文件第1页 
11EQS10 OUTLINE DRAWING (Dimensions in mm)  

与11EQS10相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
11EQS10_15 NI SBD

获取价格

11EQS10_2015 NI SBD

获取价格

11EQS10TA1B2 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

获取价格

11EQS10TA2B5 NIEC Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon

获取价格

11ES1 EIC SILICON RECTIFIER DIODES

获取价格

11ES1TA2B5 NIEC Rectifier Diode, 1 Element, 0.98A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

获取价格