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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> 110MT120KBPBF
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110MT120KBPBF

更新时间： 2024-02-09 01:51:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
6页 133K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 110A, 1200V V(RRM), Silicon, INT-A-PAK-6

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110MT120KBPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.71Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X6最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：6相数：3
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：110 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

110MT120KBPBF 数据手册

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90-110MT.KPbF Series  
Three Phase Bridge  
(Power Modules), 90/110 A  
Vishay High Power Products  
FORWARD CONDUCTION  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
90MT.K  
90 (120)  
90 (61)  
770  
110MT.K  
110 (150)  
90 (57)  
950  
UNITS  
A
Maximum DC output current at case  
temperature  
IO  
120° rect. conduction angle  
°C  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
No voltage  
reapplied  
810  
1000  
Maximum peak, one-cycle  
forward, non-repetitive surge current  
IFSM  
A
650  
800  
100 % VRRM  
reapplied  
680  
840  
Initial  
TJ = TJ maximum  
3000  
2700  
2100  
1900  
30 000  
4500  
No voltage  
reapplied  
4100  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
3200  
100 % VRRM  
reapplied  
2900  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
VF(TO)1  
VF(TO)2  
rf1  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
45 000  
A2√s  
Low level value of  
threshold voltage  
0.89  
1.05  
5.11  
0.81  
0.99  
4.37  
(16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ maximum  
(I > π x IF(AV)), TJ maximum  
V
High level value of threshold voltage  
Low level value of forward  
slope resistance  
(16.7 % x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ maximum  
(I > π x IF(AV)), TJ maximum  
mΩ  
High level value of forward  
slope resistance  
rf2  
4.64  
Ipk = 150 A, TJ = 25 °C  
tp = 400 µs single junction  
Maximum forward voltage drop  
RMS isolation voltage  
VFM  
1.6  
1.4  
V
TJ = 25 °C, all terminal shorted  
f = 50 Hz, t = 1 s  
VISOL  
4000  
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
90MT.K  
110MT.K  
UNITS  
Maximum junction operating and  
storage temperature range  
TJ, TStg  
- 40 to 150  
°C  
DC operation per module  
0.21  
1.26  
0.25  
1.47  
0.18  
1.07  
0.21  
1.25  
DC operation per junction  
Maximum thermal resistance,  
junction to case  
RthJC  
120° rect. conduction angle per module  
120° rect. conduction angle per junction  
°C/W  
Maximum thermal resistance,  
case to heatsink per module  
RthCS  
Mounting surface smooth, flat and greased  
0.03  
A mounting compound is recommended and  
the torque should be rechecked after a period  
of 3 hours to allow for the spread of the  
compound. Lubricated threads.  
to heatsink  
to terminal  
4 to 6  
3 to 4  
Mounting  
torque 10 %  
Nm  
g
Approximate weight  
176  
www.vishay.com  
2
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
Document Number: 94352  
Revision: 29-Apr-08  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
110MT120KPBF VISHAY Three Phase Bridge (Power Modules), 90/110 A

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110MT120KPBF INFINEON Bridge Rectifier Diode, 110A, 1200V V(RRM),

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110MT140KBPBF INFINEON 暂无描述

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110MT140KBPBF VISHAY Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 110A, 1400V V(RRM), Silicon, INT-A-PAK-6

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