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10WT10FN

更新时间： 2024-02-12 16:54:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A

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10WT10FN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.66 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：610 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

10WT10FN 数据手册

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VS-10UT10, VS-10WT10FN  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
1000  
100  
10  
10  
100  
1000  
10 000  
tp - Square Wave Pulse Duration (µs)  
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Note  
(1)  
Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC  
;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);  
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR  
100  
TJ = 25 °C  
10  
TJ = 125 °C  
TJ = 175 °C  
1
1
10  
100  
Rectangular Pulse Duration (µs)  
Fig. 8 - Reverse Bias Safe Operating Area (Avalanche Current vs. Rectangular Pulse Duration)  
100  
10  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 175 °C  
1
1
10  
100  
Rectangular Pulse Duration (µs)  
Fig. 9 - Reverse Bias Safe Operating Area (Avalanche Energy vs. Rectangular Pulse Duration)  
Revision: 10-Aug-11  
Document Number: 94647  
4
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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