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10WT10FNTRL

更新时间： 2024-11-26 07:17:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 133K
描述
High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A

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10WT10FNTRL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.66 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：610 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

10WT10FNTRL 数据手册

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VS-10UT10, VS-10WT10FN  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Generation 5.0 Schottky Rectifier, 10 A  
FEATURES  
• 175 °C high performance Schottky diode  
• Very low forward voltage drop  
• Extremely low reverse leakage  
I-PAK(TO-251AA)  
D-PAK(TO-252AA)  
• Optimized VF vs. IR trade off for high efficiency  
Base  
cathode  
4
Base  
cathode  
4
• Increased ruggedness for reverse avalanche  
capability  
• RBSOA available  
2
• Negligible switching losses  
Cathode  
3
3
1
1
• Submicron trench technology  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
2
Cathode  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Designed and qualified according to JEDEC-JESD47  
VS-10UT10  
VS-10WT10FN  
PRODUCT SUMMARY  
APPLICATIONS  
I-PAK(TO-251AA),  
D-PAK (TO-252AA)  
• High efficiency SMPS  
• High frequency switching  
• Output rectification  
Package  
IF(AV)  
VR  
10 A  
100 V  
• Reverse battery protection  
• Freewheeling  
VF at IF  
0.66 V  
IRM max.  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
4 mA at 125 °C  
175 °C  
• DC/DC systems  
• Increased power density systems  
Single die  
54 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VRRM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
100  
UNITS  
V
V
10 Apk, TJ = 125 °C (typical)  
Range  
0.615  
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
VS-10UT10  
VS-10WT10FN  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TJ = 25 °C  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
100  
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 159 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
10  
A
Following any rated load  
condition and with rated  
V
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
610  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
EAS  
IAR  
A
mJ  
A
RRM applied (1)  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
TJ = 25 °C, IAS = 3 A, L = 12 mH  
110  
54  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
Limited by frequency of operation and time pulse duration  
so that TJ < TJ max. IAS at TJ max. as a function of time pulse  
(see fig. 8)  
IAS at  
TJ max.  
Note  
(1)  
Measured connecting 2 anode pins  
Revision: 02-Nov-11  
Document Number: 94647  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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