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10N80G-T3P-T

更新时间： 2024-11-30 07:15:27

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	194K
描述
10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

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10N80G-T3P-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	920 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	240 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

10N80G-T3P-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

10N80

Power MOSFET

10A, 800V N-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 10N80 uses UTC’s advanced proprietary, planar

stripe, DMOS technology to provide excellent R_DS(ON), low gate

charge and operation with low gate voltages. This device is

suitable for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* RDS(ON) = 1.1Ω @VGS = 10 V

* Ultra Low Gate Charge ( Typical 45nC )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = Typical 15pF )

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

10N80L-T3P-T

10N80L-TF1-T

10N80L-TF2-T

10N80G-T3P-T

10N80G-TF1-T

10N80G-TF2-T

TO-3P

Tube

TO-220F1

TO-220F2

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-218.F

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
10N80G-TC3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
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10N80G-TF2-T	UTC	获取价格	10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
10N80L-T3P-T	UTC	获取价格	10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
10N80L-TC3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
10N80L-TF1-T	UTC	获取价格	10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET
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