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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 10ETF10SSTRL
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10ETF10SSTRL

更新时间： 2024-11-11 13:03:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
8页 838K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, SMD-220, D2PAK-3

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10ETF10SSTRL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.5
应用：FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.31 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

10ETF10SSTRL 数据手册

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10ETF...PbF Soft Recovery Series  
Vishay High Power Products  
Fast Soft Recovery  
Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES/DESCRIPTION  
The 10ETF...PbF fast soft recovery rectifier  
series has been optimized for combined short  
reverse recovery time and low forward voltage  
drop.  
Pb-free  
Base  
cathode  
2
Available  
RoHS*  
COMPLIANT  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
1
3
This product series has been designed and qualified for  
industrial level and lead (Pb)-free.  
TO-220AC  
Cathode Anode  
APPLICATIONS  
PRODUCT SUMMARY  
• Output rectification and freewheeling in inverters,  
choppers and converters  
VRRM  
VF at 10 A  
trr  
1000 to 1200 V  
< 1.33 V  
• Input rectifications where severe restrictions on conducted  
EMI should be met  
80 ns  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
trr  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
1000 to 1200  
10  
UNITS  
V
Sinusoidal waveform  
A
160  
1 A, 100 A/µs  
80  
ns  
V
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.33  
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE  
V
RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
VOLTAGE  
V
10ETF10  
10ETF12  
1000  
1200  
1100  
1200  
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
10  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 125 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
160  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
185  
128  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
180  
Maximum I2√t for fusing  
I2√t  
1800  
A2√s  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94092  
Revision: 15-Apr-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345678

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与10ETF10SSTRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
10ETF10SSTRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT,
10ETF10STLR INFINEON

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 		FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
10ETF10STRL VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, SMD-220, TO-220AC, D2PAK-
10ETF10STRL INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
10ETF10STRLPBF INFINEON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, D2PAK-3
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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
10ETF10STRR INFINEON

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 		FAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
10ETF10STRR VISHAY

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10ETF10STRRPBF VISHAY

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 		Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
10ETF10STRRPBF INFINEON

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