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100N01AE

更新时间： 2024-11-28 20:40:31

品牌	Logo	应用领域
安伦 - ANAREN		衰减器射频微波
页数	文件大小	规格书
2页	227K
描述
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2200MHz Max, PLASTIC PACKAGE-2

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100N01AE 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	标称衰减：	1 dB
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	50 dBm
最大工作频率：	2200 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	FIXED ATTENUATOR	最大电压驻波比：	1.25
Base Number Matches：	1

100N01AE 数据手册

Model 100NXXAE

Flangeless Attenuator

100 Watts

General Specifications

Resistive Element

Substrate

Thick film

Aluminum Nitride ceramic

Copper, Nickel plated per QQ-N-290

99.99% pure silver (.005” thick)

Mounting Flange

Lead(s):

Electrical Specifications

Attenuation Range:

Frequency Range;

Power:

1, 2, 3, 4, 5, 6, 10, 20 or 30 dB

DC – See Chart

100 Watts

Features:

• DC – 3.0 GHz

VSWR

1.25:1

Note: Tolerance is 0.010”, unless otherwise specified. Designed to meet of exceed

applicable portions of MIL-E-5400. Operating temperature is -55ºC to 150ºC (see chart

for derating temperatures).

All dimensions in inches.

Specifications subject to change with out notice.

• 100 Watts

• AlN Ceramic

• Non-Nichrome Resistive

Element

• Low VSWR

• 100% Tested

Outline Drawing

100NXXAE (097) Rev D

USA/Canada:

Toll Free:

(315) 432-8909

(800) 544-2414

+44 2392-232392

Available on Tape

and Reel For Pick and

Place Manufacturing.

Europe:

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与100N01AE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
100N02	UTC	获取价格	N-CH
100N02AE	ANAREN	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2200MHz Max, PLASTIC PACKAGE-2
100N02G-TM3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
100N02G-TN3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
100N02G-TN3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor
100N02L-TM3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
100N02L-TN3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
100N02L-TN3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor
100N03A	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
100N03AE	ANAREN	获取价格	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 2500MHz Max, PLASTIC PACKAGE-2