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100N03A

更新时间： 2024-05-23 22:23:14

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	905K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:90A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:4.9mΩ@10V;漏源导通电阻:7.9mΩ@4.5V

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100N03A 数据手册

UMW

UMW 100N03A

30V N-Channel Power

UMW 100N03A

Mosfet

General Description

These N-channel enhancement mode power mosfets used

advanced trench technology design, provided excellent Rdson

and low gate charge. Which accords with the RoHS standard.

Features

VDS = 30V,ID =90A

RDS(ON),3.8 mΩ(Typ) @ VGS =10V

RDS(ON), 6.4mΩ(Typ) @ VGS =4.5V

Low on resistance

Low gate charge

Fast switching

Low reverse transfer capacitances

Application

DC-DC converters

Synchronous Rectifier

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

12mm

QuantitY

UMW 100N03A UMW 100N03A

TO-252

330mm

2500

Absolute Maximum Ratings(TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

V_GS

TC=25℃

Drain Current-Continuous^Note3

I_D

TC=100℃

Drain Current-Pulsed^Note1

Avalanche Energy^Note4

I_DM

E_AS

IAS

200

280

Avalanche Current

Maximum Power Dissipation

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

TC=25℃

P_D

105

℃

T_STG

T_J

-55 to +150

℃

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max

Unit

Thermal Resistance,Junction-to-Case

3.3

℃/W

θJC

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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