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100596RR12V

更新时间: 2024-11-11 18:40:15
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 542K
描述
Standard SRAM, 32KX9, 12ns, PDSO48

100596RR12V 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SSOP, SSOP48,.4
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:12 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
内存密度:294912 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9湿度敏感等级:1
负电源额定电压:-4.5 V端子数量:48
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:32KX9
输出特性:OPEN-EMITTER封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SSOP封装等效代码:SSOP48,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:-4.5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.26 mA
表面贴装:YES温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

100596RR12V 数据手册

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