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10-R112PNA015M7-P639C75

更新时间： 2023-09-03 20:35:09

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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current;Switching optimized for EMC

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10-R112PNA015M7-P639C75 数据手册

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10-R112PNA015M7-P639C75

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Inverter Diode

Static

1,63

1,74

1,73

1,9⁽¹⁾

V_F

I_R

Forward voltage

125

150

Reverse leakage current

Thermal

V_r= 1200 V

µA

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

Thermal resistance junction to sink⁽²⁾

Dynamic

2,11

K/W

R_th(j-s)

9,87

10,82

11,17

235,87

359,81

400,42

1,2

I_RM

Peak recovery current

125

150

t_rr

Reverse recovery time

125

150

di/dt=233 A/µs

di/dt=222 A/µs

di/dt=219 A/µs

Q_r

Recovered charge

±15

600

125

150

1,88

μC

2,11

0,377

0,645

0,739

94,72

62,02

58,96

E_rec

Reverse recovered energy

Peak rate of fall of recovery current

125

150

mWs

A/µs

(di_rf/dt)_max

125

150

21 Dec. 2022 / Revision 1

1 2 3 456 7 8...20

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