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10-F0122PA150SC-P990F09

更新时间： 2024-01-21 04:29:56
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VINCOTECH 栅
页数 文件大小 规格书
15页 379K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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10-F0122PA150SC-P990F09 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

10-F0122PA150SC-P990F09 数据手册

 浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第4页浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第5页浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第6页浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第8页浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第9页浏览型号10-F0122PA150SC-P990F09的Datasheet PDF文件第10页 
FZ12 / F0122PA150SC  
preliminary datasheet  
Output Inverter  
Figure 13  
Output inverter FRED  
Figure 14  
Output inverter FRED  
Typical reverse recovery charge as a  
function of collector current  
Typical reverse recovery charge as a  
function of IGBT turn on gate resistor  
Q
rr = f(IC)  
Qrr = f(Rgon)  
40  
40  
Qrr  
32  
24  
16  
8
32  
24  
16  
8
Qrr  
Tj = Tjmax -25°C  
Tj = Tjmax -25°C  
Qrr  
Qrr  
Tj = 25°C  
Tj = 25°C  
0
0
0
0
I C (A)  
R g on ( Ω)  
50  
100  
150  
200  
250  
300  
2
4
6
8
10  
At  
At  
Tj =  
VCE  
VGE  
Tj =  
VR =  
IF =  
25/150  
600  
±15  
2
°C  
V
25/150  
°C  
V
=
=
600  
150  
±15  
V
A
Rgon  
=
VGE =  
Ω
V
Figure 15  
Output inverter FRED  
Figure 16  
Output inverter FRED  
Typical reverse recovery current as a  
function of collector current  
Typical reverse recovery current as a  
function of IGBT turn on gate resistor  
IRRM = f(IC)  
IRRM = f(Rgon)  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
300  
IRRM  
250  
200  
IRRM  
Tj = Tjmax -25°C  
Tj = Tjmax - 25°C  
IRRM  
IRRM  
Tj = 25°C  
150  
100  
50  
Tj = 25°C  
0
0
I
C (A)  
R gon ( Ω )  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
0
2
4
6
8
10  
At  
At  
Tj =  
VCE  
VGE  
Tj =  
VR =  
IF =  
25/150  
600  
±15  
2
°C  
V
25/150  
600  
°C  
V
=
=
V
150  
A
Rgon  
=
VGE =  
Ω
±15  
V
copyright Vincotech  
7
Revision: 1  
1...45678910...15

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