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10-EY12NMA016ME-LS28F16T

更新时间： 2023-09-03 20:25:17
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VINCOTECH /
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23页 8340K
描述
High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up

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10-EY12NMA016ME-LS28F16T 数据手册

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10-EY12NMA016ME-LS28F16T  
datasheet  
Boost Switching Characteristics  
figure 36.  
MOSFET  
figure 37.  
MOSFET  
Typical recovered charge as a function of drain current  
Typical recovered charge as a function of MOSFET turn on gate resistor  
Qr = f(ID)  
Qr = f(Rgon)  
1,50  
1,25  
1,00  
0,75  
0,50  
0,25  
0,00  
1,75  
1,50  
1,25  
1,00  
0,75  
0,50  
0,25  
0,00  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
ID(A)  
Rgon(Ω)  
VDS  
VGS  
=
=
=
VDS  
VGS  
ID  
=
=
=
At  
350  
V
V
Ω
At  
350  
0/15  
75  
V
V
A
25 °C  
25 °C  
0/15  
8
125 °C  
150 °C  
125 °C  
150 °C  
Tj:  
Tj:  
Rgon  
figure 38.  
MOSFET  
figure 39.  
MOSFET  
Typical peak reverse recovery current as a function of drain current  
Typical peak reverse recovery current as a function of MOSFET turn on gate resistor  
IRM = f(ID)  
IRM = f(Rgon)  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
125  
100  
75  
50  
25  
0
IRM  
IRM  
IRM  
IRM  
IRM  
IRM  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
ID(A)  
Rgon(Ω)  
VDS  
VGS  
=
=
=
VDS  
VGS  
ID  
=
=
=
At  
350  
0/15  
8
V
V
Ω
At  
350  
0/15  
75  
V
V
A
25 °C  
25 °C  
125 °C  
150 °C  
125 °C  
150 °C  
Tj:  
Tj:  
Rgon  
Copyright Vincotech  
17  
24 Jan. 2023 / Revision 1  
1...14151617181920...23

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