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10-E106PMA020SA-L925A38Z

更新时间： 2024-04-09 19:00:32
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VINCOTECH 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
29页 9563K
描述
IGBT3 Easy paralleling Low turn-off losses Low collector emitter saturation voltage Positive temperature coefficient Short tail current

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10-E106PMA020SA-L925A38Z 数据手册

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10-E106PMA020SA-L925A38Z  
datasheet  
Brake Switching Characteristics  
figure 47.  
FWD  
figure 48.  
FWD  
Typical recovered charge as a function of collector current  
Typical recovered charge as a function of IGBT turn on gate resistor  
Qr = f(IC)  
Qr = f(Rgon)  
2,25  
2,00  
1,75  
1,50  
1,25  
1,00  
0,75  
0,50  
0,25  
0,00  
1,75  
1,50  
1,25  
1,00  
0,75  
0,50  
0,25  
0,00  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
Qr  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
IC(A)  
Rgon(Ω)  
With an inductive load at  
With an inductive load at  
25 °C  
25 °C  
VCE  
VGE  
Rgon  
=
=
=
VCE  
VGE  
IC  
=
=
=
400  
0/15  
8
V
V
Ω
125 °C  
150 °C  
400  
0/15  
20  
V
V
A
125 °C  
150 °C  
Tj:  
Tj:  
figure 49.  
FWD  
figure 50.  
FWD  
Typical peak reverse recovery current as a function of collector current  
Typical peak reverse recovery current as a function of IGBT turn on gate resistor  
IRM = f(IC)  
IRM = f(Rgon)  
15,0  
12,5  
10,0  
7,5  
17,5  
15,0  
12,5  
10,0  
7,5  
IRM  
IRM  
IRM  
IRM  
IRM  
5,0  
5,0  
IRM  
2,5  
2,5  
0,0  
0,0  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
IC(A)  
Rgon(Ω)  
With an inductive load at  
With an inductive load at  
25 °C  
25 °C  
VCE  
VGE  
Rgon  
=
=
=
VCE  
VGE  
IC  
=
=
=
400  
0/15  
8
V
V
Ω
125 °C  
150 °C  
400  
0/15  
20  
V
V
A
125 °C  
150 °C  
Tj:  
Tj:  
Copyright Vincotech  
23  
19 Dec. 2023 / Revision 1  
1...20212223242526...29

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