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1.5SMCJ58C

更新时间： 2024-11-06 20:13:23
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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1.5SMCJ58C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-214AB包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.21最大击穿电压：78.6 V
最小击穿电压：64.4 V击穿电压标称值：71.5 V
最大钳位电压：103 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：58 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1.5SMCJ58C 数据手册

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1.5SMCJ5.0 ... 1.5SMCJ170CA  
1.5SMCJ5.0 ... 1.5SMCJ170CA  
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2013-12-11  
7.9±0.2  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
1500 W  
Nominal Stand-off voltage  
Nominale Sperrspannung  
5.0...170 V  
1.2  
0.15  
Plastic case  
~ SMC  
Kunststoffgehäuse  
~ DO-214AB  
Type  
Typ  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.21 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
7.2±0.5  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen  
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C PPPM  
TT = 75°C PM(AV)  
TA = 25°C IFSM  
1500 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
5 W  
100 A 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
Max. instantaneous forward voltage  
IF = 25 A  
VF  
< 3.0 V 2)  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+150°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 33 K/W 3)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
TVS diodes having breakdown voltage VBR = 220 ... 550 V: please refer to datasheet 1.5SMC220  
TVS-Dioden mit Abbruchspannung VBR = 220 ... 550 V: siehe Datenblatt 1.5SMC220  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
2
3
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
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