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1.5KE200E3/100

更新时间: 2024-10-28 13:33:19
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威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
7页 175K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 162V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN

1.5KE200E3/100 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.02
Is Samacsys:N其他特性:EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压:220 V最小击穿电压:180 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:6.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:162 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLEBase Number Matches:1

1.5KE200E3/100 数据手册

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1.5KE6.8 thru 1.5KE540A, 1N6267 thru 1N6303  
Vishay Semiconductors  
100  
1000  
100  
10  
10  
1.0  
1
0.1  
Pulse width = 300  
1% Duty Cycle  
s
T
= 25 C  
J
0.01  
0.1  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Breakdown Voltage (V)  
Figure 13. Typical Reverse Leakage Characteristics  
Figure 11. Instantaneous Forward Voltage Characteristics Curve  
100  
10  
1
0.1  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
tp – Pulse Duration (sec)  
Figure 12. Typical Transient Thermal Impedance  
Package outline dimensions in inches (millimeters)  
Case Style 1.5KE  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.210 (5.3)  
0.190 (4.8)  
DIA.  
0.375 (9.5)  
0.285 (7.2)  
1.0 (25.4)  
MIN.  
0.042 (1.07)  
0.038 (0.96)  
DIA.  
www.vishay.com  
6
Document Number 88301  
03-Mar-05  

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