5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 63 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 03904GUF | ETC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 03904GUFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-65 |
|
| 03904HPF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63000mA I(T), 400V V(DRM) |
|
| 03904HRF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 03904HRFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 03904KRF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 03904KRFE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
|
| 03904KUF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 03906GPF | ETC |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier |
|
| 03906GRF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier/Inverter |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
