015AZ6.2-Z

更新时间： 2024-11-19 22:08:07

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东芝 - TOSHIBA		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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015AZ6.2-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
膝阻抗最大值：	500 Ω	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	6.4 V
最大反向电流：	1 µA	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	2.5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

015AZ6.2-Z 数据手册

015AZ2.0~015AZ12

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ2.0~015AZ12

Constant Voltage Regulation Applications

Unit: mm

l Small package

l Nominal voltage tolerance about ±2.5%

(2.0V~12V)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Power dissipation

Symbol

Rating

Unit

150

125

°C

Junction temperature

Storage temperature range

-55~125

°C

stg

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,

Pad dimension of 4 × 4mm.

JEDEC

―

JEITA

Electrical Characteristics

TOSHIBA

Weight: 1.4 mg

1-1G1A

(See Page 2~3)

Marking

Example 1: 015AZ12-×

Example 2: 015AZ12-×

Pin Assignment (top view)

2001-10-30

12 3 4 5 6

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