015AZ8.2-Y

更新时间： 2024-11-17 22:07:59

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东芝 - TOSHIBA		二极管齐纳二极管测试光电二极管
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描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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015AZ8.2-Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	20 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	膝阻抗最大值：	120 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	8.2 V	最大反向电流：	0.5 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2.5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

015AZ8.2-Y 数据手册

015AZ2.0~015AZ12

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

015AZ2.0~015AZ12

Constant Voltage Regulation Applications

Unit: mm

l Small package

l Nominal voltage tolerance about ±2.5%

(2.0V~12V)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Power dissipation

Symbol

Rating

Unit

150

125

°C

Junction temperature

Storage temperature range

-55~125

°C

stg

* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,

Pad dimension of 4 × 4mm.

JEDEC

―

JEITA

Electrical Characteristics

TOSHIBA

Weight: 1.4 mg

1-1G1A

(See Page 2~3)

Marking

Example 1: 015AZ12-×

Example 2: 015AZ12-×

Pin Assignment (top view)

2001-10-30

12 3 4 5 6

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