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ZXTP749FTA

更新时间: 2024-01-25 11:12:26
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 229K
描述
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

ZXTP749FTA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:1.73
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.725 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

ZXTP749FTA 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXTP749F  
Typical Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
1
Tamb=25°C  
IC/IB=10  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
IC/IB=100  
IC/IB=50  
100m  
10m  
1m  
150°C  
100°C  
IC/IB=10  
25°C  
IC/IB=20  
100m  
-55°C  
1m  
10m  
1
10m  
100m  
1
- IC Collector Current (A)  
- IC Collector Current (A)  
VCE(sat) v IC  
VCE(sat) v IC  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
150°C  
IC/IB=10  
VCE=-2V  
500  
400  
300  
200  
100  
0
-55°C  
25°C  
100°C  
25°C  
150°C  
100°C  
-55°C  
1m  
10m  
100m  
1
10  
1m  
10m  
100m  
1
- IC Collector Current (A)  
- IC Collector Current (A)  
hFE v IC  
VBE(sat) v IC  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
VCE=-2V  
f = 1MHz  
-55°C  
Cibo  
25°C  
60  
150°C  
40  
Cobo  
100°C  
20  
0
10m  
100m  
1
10  
1m  
10m  
100m  
1
- Voltage(V)  
- IC Collector Current (A)  
Capacitance v Voltage  
VBE(on) v IC  
5 of 7  
www.diodes.com  
January 2013  
© Diodes Incorporated  
ZXTP749F  
Document Number: DS31901 Rev. 3 - 2  

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