ZXTP749FTA

更新时间： 2024-02-18 11:11:40

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	229K
描述
25V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

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ZXTP749FTA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.73
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.725 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXTP749FTA 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTP749F

Electrical Characteristics (@T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

Min

-35

-25

-7

Typ

-60

Max

Unit

Test Condition

I_C= -100µA

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 7)

Emitter-Base Breakdown Voltage

-40

I_C= -10mA

-8.4

I_E= -100µA

V_CB= -28V

V_CB= -28V, T_A= +100°C

V_EB= -5.6V

-50

-0.5

µA

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

-50

I_C= -100mA, V_CE= -2V

200

130

100

320

230

180

500

_C= -1A, V_CE= -2V

I_C= -2A, V_CE= -2V

_C= -6A, V_CE= -2V

Static Forward Current Transfer Ratio (Note 7)

h_FE

I_C= -1A, I_B= -100mA

I_C= -3A, I_B= -300mA

I_C= -1A, V_CE= -2V

I_C= -1A, I_B= -100mA

-85

-229

-150

-350

Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 7)

V_CE(sat)

Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 7)

Base-Emitter Saturation Voltage (Note 7)

-786

-895

-850

V_BE(on)

V_BE(sat)

-1000

Notes:

7. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300µs. Duty cycle ≤ 2%

4 of 7

www.diodes.com

January 2013

ZXTP749F

Document Number: DS31901 Rev. 3 - 2

1 2 345 6 7

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