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ZXTP2014Z

更新时间： 2024-02-27 09:48:26

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	108K
描述
140V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

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ZXTP2014Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	45
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2014Z 数据手册

ZXTP2014Z

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated)

amb

SYMBOL

PARAMETER

MIN.

-180

-140

-7.0

TYP. MAX. UNIT CONDITIONS

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

-200

-160

-8.0

Ͻ1

= -100␮A

CBO

CER

CEO

EBO

= -1␮A, RB Յ 1k⍀

= -10mA*

= -100␮A

-20

-0.5

-20

␮A

= -150V

= -150V, T

= -150V

= -150V, T

= -6V

CBO

=100ЊC

amb

Collector cut-off current

Ͻ1

CER

RՅ1k⍀

-0.5

-10

Emitter cut-off current

Ͻ1

-37

EBO

Collector-emitter saturation voltage

-60

= -0.1A, I = -5mA*

CE(SAT)

-50

-75

= -0.5A, I = -50mA*

= -1A, I = -100mA*

-80

-115

-330

= -3A, I = -300mA*

-255

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter turn on voltage

-910 -1010 mV

= -3A, I = -300mA*

BE(SAT)

BE(ON)

-800

225

200

100

-900

= -3A, V = -5V*

Static forward current transfer ratio

100

= -10mA, V = -5V*

300

= -1A, V = -5V*

= -3A, V = -5V*

= -10A, V = -5V*

Transition frequency

120

MHz

= -100mA, V = -10V

f=50MHz

V = -10V, f= 1MHz*

Output capacitance

Switching times

OBO

= -1A, V

= -50V,

636

= -I = -100mA

OFF

* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300␮s; duty cycle Յ 2%.

ISSUE 2 - AUGUST 2005

SEMICONDUCTORS

1 2 345 6

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