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ZXTP2014GTA

更新时间： 2024-01-25 04:21:03

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管功率双极晶体管
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6页	111K
描述
140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2014GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	45
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2014GTA 数据手册

ZXTP2014G

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated)

am b

PARAMETER

S YMBOL

MIN.

-180

-140

-7.0

TYP. MAX. UNIT CONDITIONS

Co lle cto r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e

Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e

Em itte r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e

Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t

-200

-160

-8.0

Ͻ1

I =-100␮A

CBO

CER

CEO

EBO

I =-1␮A, RBՅ1k⍀

I =-10m A*

I =-100␮A

-20

-0.5

-20

n A

␮A

n A

␮A

n A

V =-150V

CBO

=-150V, T

=100ЊC

amb

Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t

Ͻ1

V =-150V

CER

RՅ1k⍀

-0.5

-10

V =-150V, T

amb

Em itte r cu t-o ff cu rre n t

Ͻ1

-40

-55

=-6V

EBO

Co lle cto r-e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e

-60

m V I =-0.1A, I =-5m A*

C B

CE(S AT)

-80

m V I =-0.5A, I =-50m A*

C B

-85

-120

-360

m V I =-1A, I =-100m A*

C B

-275

m V I =-3A, I =-300m A*

C B

Ba s e -e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e

Ba s e -e m itte r tu rn -o n vo lta g e

-940 -1040 m V I =-3A, I =-300m A*

C B

BE(S AT)

BE(ON)

-830

225

200

100

-930

m V I =-3A, V =-5V*

C CE

S ta tic fo rw a rd cu rre n t tra n s fe r ra tio

100

I =-10m A, V =-5V*

C CE

300

I =-1A, V =-5V*

I =-3A, V =-5V*

I =-10A, V =-5V*

Tra n s itio n fre q u e n cy

120

MHz I =-100m A, V =-10V

f=50MHz

Ou tp u t ca p a cita n ce

S w itch in g tim e s

p F

n s

=-10V, f=1MHz*

OBO

I =-1A, V =-50V,

OFF

636

= -I =-100m A

* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300␮s; duty cycle Յ 2%.

ISSUE 1 - J UNE 2005

1 2 345 6

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