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ZXTP2014G

更新时间： 2024-01-22 19:15:51

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	112K
描述
140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR

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ZXTP2014G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	45
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2014G 数据手册

ZXTP2014G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

-180

-140

-7

UNIT

Co lle cto r-b a s e vo lta g e

Co lle cto r-e m itte r vo lta g e

Em itte r-b a s e vo lta g e

CBO

CEO

EBO

(a )

Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t

-4

Pe a k p u ls e cu rre n t

(a )

-10

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

3.0

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

m W/°C

(b )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

1.6

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

12.8

-55 to 150

m W/°C

°C

Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e

T , T

j s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

°C/W

(a )

J u n ctio n to a m b ie n t

⍜J A

(b )

J u n ctio n to a m b ie n t

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 52m m x 52m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.

(b) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

ISSUE 1 - J UNE 2005

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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