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ZXTP2012A

更新时间： 2024-02-14 03:05:52

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
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6页	115K
描述
60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

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ZXTP2012A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SOT-89, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4.3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2012A 数据手册

ZXTP2012A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

-100

-60

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CBO

CEO

EBO

-7

(a)

Continuous collector current

-3.5

Peak pulse current

-15

(a)

Practical power dissipation at T =25°C

1.0

Linear derating factor

(b)

mW/°C

Power dissipation at T =25°C

0.71

5.7

Linear derating factor

mW/°C

°C

Operating and storage temperature range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

125

UNIT

°C/W

(a)

Junction to ambient

⍜JA

(b)

Junction to ambient

175

NOTES

(a) For a device through hole mounted on 25mm x 25mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

Collector lead length to solder point 4mm.

(b)For a device mounted in a socket in still air conditions. Collector lead length 10mm.

ISSUE 2 - NOVEMBER 2005

SEMICONDUCTORS

123 4 5 6

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