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ZXTP2012G

更新时间： 2024-01-30 07:43:36

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管
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6页	124K
描述
60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

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ZXTP2012G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SOT-89, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4.3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTP2012G 数据手册

ZXTP2012G

60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

SUMMARY

BV_CEO= -60V : R_SAT= 39m ; I_C= -5.5A

DESCRIPTION

Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 60V PNP transistor

offers extrem ely low on state losses m aking it ideal for use in DC-DC circuits

and various driving and power m anagem ent functions.

FEATURES

SOT223

• Extrem ely low equivalent on-resistance; R_SAT= 39m V at 5A

• 5.5 am ps continuous current

• Up to 15 am ps peak current

• Very low saturation voltages

• Excellent gain characteristics specified up to 10 Am ps

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY PER

REEL

ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTC

7”

12m m

1,000 units

4,000 units

em bossed

13”

DEVICE MARKING

ZXTP

2012

TOP VIEW

ISSUE 1 - J UNE 2005

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXTP2012GTA	DIODES	60V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223	获取价格
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