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ZXTP2008ZQTA

更新时间: 2024-02-20 13:56:36
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
Power Bipolar Transistor,

ZXTP2008ZQTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SOT-89, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.18外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PDSO-F4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):110 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP2008ZQTA 数据手册

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ZXTP2008G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
S YMBOL  
LIMIT  
-50  
UNIT  
V
Co lle cto r-b a s e vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r vo lta g e  
Em itte r-b a s e vo lta g e  
BV  
BV  
BV  
CBO  
CEO  
EBO  
-30  
V
-7  
V
(a )  
Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t  
I
-5.5  
-20  
A
C
Pe a k p u ls e cu rre n t  
(a )  
I
A
CM  
Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C  
A
P
3.0  
24  
W
D
Lin e a r d e ra tin g fa cto r  
m W/°C  
(b )  
Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C  
A
P
1.6  
W
D
Lin e a r d e ra tin g fa cto r  
12.8  
m W/°C  
Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e  
T , T  
-55 to 150  
°C  
j
s tg  
THERMAL RESISTANCE  
PARAMETER  
S YMBOL  
VALUE  
42  
UNIT  
°C/W  
°C/W  
(a )  
J u n ctio n to a m b ie n t  
R
R
J A  
J A  
(b )  
J u n ctio n to a m b ie n t  
78  
NOTES  
(a) For a device surface m ounted on 52m m x 52m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.  
(b) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
2

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