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ZXTP2009ZTA

更新时间: 2024-11-23 07:42:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 124K
描述
40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR

ZXTP2009ZTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SOT-89, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.22外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5.5 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):110
JESD-30 代码:R-PDSO-F4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):152 MHz
Base Number Matches:1

ZXTP2009ZTA 数据手册

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ZXTP2009Z  
40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR  
IN SOT89  
SUMMARY  
BVCEO = -40V : RSAT = 29m ; IC = -5.5A  
DESCRIPTION  
Packaged in the SOT89 outline this new low saturation 40V PNP transistor  
offers low on state losses m aking it ideal for use in DC-DC circuits, line  
switching and various driving and power m anagem ent functions.  
FEATURES  
SOT89  
Extrem ely low equivalent on-resistance  
5.5 am ps continuous current  
Up to 15 am ps peak current  
Very low saturation voltages < -60m V @ -1A  
APPLICATIONS  
DC - DC converters  
MOSFET gate drivers  
Charging circuits  
Power switches  
Motor control  
PINOUT  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY PER  
REEL  
ZXTP2009ZTA  
7”  
12m m  
1,000 units  
DEVICE MARKING  
53Z  
TOP VIEW  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
1
S E M IC O N D U C T O R S  

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