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ZXTP2008Z

更新时间： 2024-02-29 05:04:41

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	111K
描述
30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

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ZXTP2008Z 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP2008Z 数据手册

ZXTP2008Z

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

S YMBOL

LIMIT

-50

UNIT

Co lle cto r-b a s e vo lta g e

Co lle cto r-e m itte r vo lta g e

Em itte r-b a s e vo lta g e

CBO

CEO

EBO

-30

-7

(a )

Co n tin u o u s co lle cto r cu rre n t

-5.5

-20

Pe a k p u ls e cu rre n t

(a )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

1.5

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

m W/°C

(b )

Po w e r d is s ip a tio n a t T =25°C

2.1

Lin e a r d e ra tin g fa cto r

16.8

m W/°C

Op e ra tin g a n d s to ra g e te m p e ra tu re ra n g e

T , T

-55 to 150

°C

s tg

THERMAL RESISTANCE

PARAMETER

S YMBOL

VALUE

UNIT

°C/W

(a )

J u n ctio n to Am b ie n t

⍜J A

(b )

J u n ctio n to Am b ie n t

NOTES

(a) For a device surface m ounted on 25m m x 25m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

(b) For a device surface m ounted on 50m m x 50m m x 1.6m m FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.

ISSUE 1 - J UNE 2005

123 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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