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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTP19100CZ

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ZXTP19100CZ

更新时间： 2024-02-24 17:28:00

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	429K
描述
100V PNP medium power transistor in SOT89

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技术参数
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ZXTP19100CZ 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	142 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP19100CZ 数据手册

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