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ZXTP2008GTA

更新时间: 2024-09-18 07:42:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 112K
描述
30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223

ZXTP2008GTA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-261AA
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:1.57
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-261AAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHzBase Number Matches:1

ZXTP2008GTA 数据手册

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ZXTP2008G  
30V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223  
SUMMARY  
BV  
= -30V : R  
= 31m ; I = -5.5A  
SAT C  
CEO  
DESCRIPTION  
Packaged in the SOT223 outline this new low saturation 30V PNP transistor  
offers extrem ely low on state losses m aking it ideal for use in DC-DC circuits  
and various driving and power m anagem ent functions.  
FEATURES  
SOT223  
5.5 Am ps continuous current  
Up to 20 am ps peak current  
Very low saturation voltages  
Exceptional gain linearity down to 10m A  
APPLICATIONS  
DC - DC converters  
MOSFET gate drivers  
Charging circuits  
Power switches  
Motor control  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL  
SIZE  
TAPE  
WIDTH  
QUANTITY PER  
REEL  
PINOUT  
ZXTP2008GTA  
ZXTP2008GTC  
7”  
1,000 units  
4,000 units  
12m m  
em bossed  
13”  
DEVICE MARKING  
ZXTP  
2008  
TOP VIEW  
ISSUE 1 - J UNE 2005  
1

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