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ZXTP2008Z

更新时间： 2024-01-02 20:20:57

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美台 - DIODES		晶体晶体管
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6页	111K
描述
30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

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ZXTP2008Z 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SOT-89, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	110 MHz
Base Number Matches：	1

ZXTP2008Z 数据手册

ZXTP2008Z

30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

SUMMARY

BV_CEO= -30V : R_SAT= 24m ; I_C= -5.5A

DESCRIPTION

Packaged in the SOT89 outline this new low saturation

30V PNP transistor offers low on state losses m aking it

ideal for use in DC-DC circuits, line switching and

various driving and power m anagem ent functions.

SOT89

FEATURES

• 5.5 am ps continuous current

• Up to 20 am ps peak current

• Very low saturation voltages

• Exceptional gain linearity down to 10m A

• Excellent high current gain hold up

APPLICATIONS

• DC - DC converters

• MOSFET gate drivers

• Charging circuits

• Power switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

S IZE

QUANTITY PER

REEL

TAPE WIDTH

12m m

1000 units

ZXTP2008ZTA

em bossed

DEVICE MARKING

TOP VIEW

949

ISSUE 1 - J UNE 2005

12 3 4 5 6

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与ZXTP2008Z相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZXTP2008ZQ	DIODES	PNP, 30V, 5.5A, SOT89	获取价格
ZXTP2008ZQTA	DIODES	Power Bipolar Transistor,	获取价格
ZXTP2008ZTA	ZETEX	30V PNP LOW SATURATION MEDUIM POWER TRANSISTOR IN SOT89	获取价格
ZXTP2008ZTA	DIODES	30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89	获取价格
ZXTP2009Z	DIODES	40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR	获取价格
ZXTP2009Z	ZETEX	40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89	获取价格