Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTN26070CV-7

ZXTN26070CV-7

更新时间： 2024-02-08 05:06:18

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	138K
描述
70V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT-666

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ZXTN26070CV-7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTN26070CV-7 数据手册

A Product Line of

Diodes Incorporated

ZXTN26070CV

Maximum Ratings @T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

150

Unit

Continuous Collector Current

Peak Pulse Current

I_CM

Base Current

500

I_B

Thermal Characteristics

Characteristic

Power Dissipation at T_A= 25°C (Note 4)

Symbol

P_D

Value

0.6

Unit

Power Dissipation at T_A= 25°C (Note 5)

P_D

208

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 4) @ T_A= 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 5) @ T_A= 25°C

Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 6)

Operating and Storage Temperature Range

°C/W

°C

R_θ

121

R_θ

-55 to +150

_J,T_STG

Notes:

4. For a device surface mounted minimum recommended pad layout, in still air conditions

5. Mounted on 25mm X 25mm X 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2 oz copper, in still air conditions.

6. From Collector leads. Typical.

2 of 7

www.diodes.com

April 2010

ZXTN26070CV

Document number: DS32129 Rev. 3 - 2

123 4 5 6 7

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