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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTN26020DMF
ZXTN26020DMF PDF预览

ZXTN26020DMF

更新时间： 2024-01-01 00:53:20
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 135K
描述
HIGH GAIN, LOW VCE(SAT) NPN BIPOLAR TRANSISTOR

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ZXTN26020DMF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：5.75
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PBCC-N3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzBase Number Matches：1

ZXTN26020DMF 数据手册

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A Product Line of  
Diodes Incorporated  
ZXTN26020DMF  
Electrical Characteristics (at TA = 25°C unless otherwise specified)  
Characteristic  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
V(BR)ECO  
Min  
20  
20  
7
Typ  
⎯
⎯
⎯
⎯
Max  
⎯
⎯
⎯
⎯
Unit  
V
Test Condition  
IC = 100μA, IE = 0A  
IC = 10mA, IB = 0A  
IE = 100μA, IC = 0A  
IE = 100μA, IB = 0A  
VCB = 20V, IE = 0A  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 5)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V
V
Emitter-Collector Breakdown Voltage  
5
V
nA  
μA  
nA  
nA  
100  
0.5  
Collector Cutoff Current  
Icbo  
⎯
⎯
V
V
V
CB = 20V, IE = 0, TA = 125°C  
CE = 20V, VBE = 0V  
Emitter Cutoff Current  
Base Cutoff Current  
Ices  
Iebo  
100  
100  
⎯
⎯
⎯
⎯
BE = 5.6V, IC = 0A  
VCE = 2V, IC = 100mA  
VCE = 2V, IC = 0.5A  
1000  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
300  
290  
270  
200  
DC Current Gain (Note 5)  
hFE  
⎯
V
CE = 2V, IC = 1A  
⎯
VCE = 2V, IC = 2A  
45  
70  
125  
225  
225  
290  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC = 100mA, IB = 1mA  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
I
C = 500mA, IB = 25mA  
IC = 1A, IB = 50mA  
C = 1.5A, IB = 30mA  
IC = 2A, IB = 100mA  
C = 2A, IB = 40mA  
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 5)  
VCE(SAT)  
I
I
Equivalent On-Resistance  
90  
⎯
⎯
⎯
⎯
mΩ  
V
RCE(SAT)  
VBE(ON)  
VBE(SAT)  
Cobo  
⎯
⎯
⎯
⎯
—
⎯
1.2  
1.1  
20  
IC = 1A, IB = 50mA  
VCE = 2V, IC = 2A  
Base-Emitter Turn-On Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance (Note 5)  
Input Capacitance (Note 5)  
V
IC = 2A, IB = 100mA  
VCB = 10V, f = 1.0MHz  
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz  
pF  
pF  
150  
Cibo  
V
CE = 10V, IC = 50mA,  
Current Gain-Bandwidth Product  
260  
MHz  
fT  
⎯
⎯
f = 100MHz  
Turn-On Time  
Delay Time  
Rise Time  
60  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ton  
td  
tr  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
40  
V
CC = 10V, IC = 1A  
Turn-Off Time  
Storage Time  
Fall Time  
225  
205  
20  
IB2 = -IB1 = 50mA  
toff  
ts  
tf  
Notes:  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1,200  
2.8  
2.4  
1,100  
1,000  
900  
T
= 150°C  
A
I
I
= 5mA  
= 4mA  
B
B
T
= 125°C  
A
2.0  
1.6  
1.2  
800  
T
T
= 85°C  
A
A
700  
I
I
= 3mA  
= 2mA  
B
B
= 25°C  
600  
500  
400  
0.8  
T
= -55°C  
A
300  
I
= 1mA  
B
200  
0.4  
0
100  
0
0
1
2
3
4
5
0.001  
0.01  
IC, COLLECTOR CURRENT (A)  
Fig. 5 Typical DC Current Gain vs. Collector Current  
0.1  
1
10  
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)  
Fig. 4 Typical Collector Current  
vs. Collector-Emitter Voltage  
ZXTN26020DMF  
Documnt Number: DS31953 Rev. 2 - 1  
3 of 6  
www.diodes.com  
September 2009  
© Diodes Incorporated  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZXTN26020DMFTA DIODES

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