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ZXTN25100DGTA

更新时间： 2024-01-16 13:18:24

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管 PC
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8页	338K
描述
100V NPN high gain transistor in SOT223

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ZXTN25100DGTA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2.5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	175 MHz	Base Number Matches：	1

ZXTN25100DGTA 数据手册

ZXTN25100DG

Package outline - SOT223

Millimeters

Dim.

Inches

Min.

Millimeters

Inches

Dim.

Min.

Max.

1.80

0.10

1.65

0.84

3.10

0.33

Max.

0.071

0.004

0.0649

0.033

0.122

0.013

Min.

Max.

Min.

0.248

Max.

6.30

6.70

0.264

0.02

1.55

0.66

2.90

0.23

0.0008

0.0610

0.026

0.114

0.009

2.30 BSC

4.60 BSC

0.0905 BSC

0.181 BSC

6.70

7.30

3.70

0.264

0.287

0.146

3.30

0.90

0.130

0.355

Note: Controlling dimensions are in millimeters. Approximate dimensions are provided in inches

Issue 1- December 2007

www.zetex.com

1...4 5 678

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