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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> ZXTN25100DGTA
ZXTN25100DGTA PDF预览

ZXTN25100DGTA

更新时间： 2024-02-15 05:58:57
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 338K
描述
100V NPN high gain transistor in SOT223

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ZXTN25100DGTA 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：175 MHzBase Number Matches：1

ZXTN25100DGTA 数据手册

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ZXTN25100DG  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Collector-Base voltage  
V
180  
V
CBO  
Collector-Emitter voltage (forward blocking)  
Collector-Emitter voltage  
V
V
V
V
180  
100  
6
V
V
V
V
A
A
A
CEX  
CEO  
ECO  
EBO  
Emitter-Collector voltage (reverse blocking)  
Emitter-Base voltage  
7
(c)  
I
3
Continuous Collector current  
C
Base current  
I
1
B
Peak pulse current  
I
3.5  
CM  
(a)  
P
P
P
P
P
1.2  
9.6  
W
Power dissipation at T =25°C  
D
D
D
D
D
A
mW/°C  
Linear derating factor  
(b)  
1.6  
W
Power dissipation at T =25°C  
A
12.8  
mW/°C  
Linear derating factor  
(c)  
3
W
Power dissipation at T =25°C  
A
24  
mW/°C  
Linear derating factor  
(d)  
5.3  
42  
W
Power dissipation at T =25°C  
A
mW/°C  
Linear derating factor  
(e)  
7.3  
58  
W
Power dissipation at T =25°C  
C
mW/°C  
Linear derating factor  
Operating and storage temperature range  
T , T  
-55 to 150  
°C  
j
stg  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
(a)  
R
104  
°C/W  
Junction to ambient  
⍜JA  
(b)  
R
78  
42  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Junction to ambient  
⍜JA  
(c)  
R
Junction to ambient  
⍜JA  
(d)  
R
23.5  
16  
Junction to ambient  
⍜JA  
(e)  
R
Junction to case  
⍜JC  
NOTES:  
(a) For a device surface mounted on 15mm x 15mm x 0.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in  
still air conditions.  
(b)Mounted on 25mm x 25mm x 0.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.  
(c) Mmounted on 50mm x 50mm x 0.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.  
(d)As (c) above measured at t<5 seconds.  
(e) Junction to case (collector tab). Typical  
Issue 1- December 2007  
© Zetex Semiconductors plc 2007  
2
www.zetex.com  
12345678

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