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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> ZX5T955TA
ZX5T955TA PDF预览

ZX5T955TA

更新时间： 2024-02-24 21:32:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
140V PNP Low saturation medium power transistor in SOT89

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ZX5T955TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-89, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：45
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

ZX5T955TA 数据手册

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ZX5T955Z.  
o
Electrical Characteristics (at T  
=25 C unless otherwise stated)  
amb  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions  
Collector-Base breakdown  
voltage  
BV  
-180 -200  
-180 -200  
-140 -160  
V
V
V
V
I = -100␮A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
Collector-Emitterbreakdown BV  
voltage  
I = -100␮A, RB<1k⍀  
C
(*)  
I = -10mA  
C
Collector-Emitterbreakdown BV  
voltage  
Emitter-Base breakdown  
voltage  
BV  
-7.0  
-8.0  
<1  
I = -100␮A  
E
Collector cut-off current  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
-20  
-0.5  
nA  
␮A  
V
V
= -150V  
CBO  
CB  
CB  
o
= -150V, Tamb =100 C  
<1  
-20  
-0.5  
nA  
␮A  
V
V
= -150V  
CER  
CB  
CB  
o
R<1k⍀  
= -150V, Tamb =100 C  
I
<1  
-10  
-60  
nA  
V
= -6V  
EBO  
EB  
(*)  
Collector-Emitter saturation  
voltage  
V
-37  
mV  
I = -0.1A, I = -5mA  
CE(sat)  
C
B
(*)  
-50  
-80  
-75  
mV  
mV  
mV  
I = -0.5A, I = -50mA  
C
B
(*)  
-115  
I = -1A, I = -100mA  
C
B
(*)  
(*)  
-255 -330  
I = -3A, I = -300mA  
C
B
Base-emitter saturation  
voltage  
V
-910 -1010 mV  
I = -3A, I = -300mA  
BE(sat)  
C
B
(*)  
Base-emitter turn-on voltage V  
-800 -900  
225  
mV  
I = -3A, V = -5V  
BE(on)  
C
CE  
(*)  
Static forward current  
transfer ratio  
h
100  
100  
45  
I = -10mA, V = -5V  
FE  
C
CE  
(*)  
200  
100  
5
300  
I = -1A, V = -5V  
C
CE  
(*)  
I = -3A, V = -5V  
C
CE  
(*)  
I = -10A, V = -5V  
C
CE  
Transition frequency  
f
120  
MHz I = -100mA, V = -10V  
T
C
CE  
f = 50MHz  
(*)  
Output capacitance  
Switching times  
C
33  
pF  
V
= -10V, f = 1MHz  
OBO  
CB  
t
t
42  
ns I = -1A, V = -50V,  
on  
C
CC  
636  
ns  
I
= -I = -100mA  
B1 B2  
off  
NOTES:  
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300␮s; duty cycle Յ2%.  
Issue 2 - June 2008  
© Zetex Semiconductors Ltd 2008  
4
www.zetex.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZX5T955Z DIODES

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