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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> ZX5T955GTA
ZX5T955GTA PDF预览

ZX5T955GTA

更新时间： 2024-02-23 02:50:50
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR

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ZX5T955GTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-89, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：45
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

ZX5T955GTA 数据手册

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ZX5T955G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL  
MIN.  
-180  
-180  
-140  
-7.0  
TYP. MAX. UNIT CONDITIONS  
Co lle cto r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Em itte r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
BV  
BV  
BV  
BV  
-200  
-200  
-160  
-8.0  
Ͻ1  
V
V
I =-100␮A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I =-1␮A, RBՅ1k⍀  
C
V
I =-10m A*  
C
V
I =-100␮A  
E
I
-20  
-0.5  
-20  
n A  
␮A  
n A  
␮A  
n A  
V =-150V  
CB  
CBO  
V
=-150V, T  
=100ЊC  
=100ЊC  
CB  
amb  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
V =-150V  
CB  
CER  
RՅ1k⍀  
-0.5  
-10  
V =-150V, T  
CB  
amb  
Em itte r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
-40  
-55  
V
=-6V  
EBO  
EB  
Co lle cto r-e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
V
-60  
m V I =-0.1A, I =-5m A*  
C B  
CE(S AT)  
-80  
m V I =-0.5A, I =-50m A*  
C B  
-85  
-120  
-360  
m V I =-1A, I =-100m A*  
C B  
-275  
m V I =-3A, I =-300m A*  
C B  
Ba s e -e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
Ba s e -e m itte r tu rn -o n vo lta g e  
V
V
H
-940 -1040 m V I =-3A, I =-300m A*  
C B  
BE(S AT)  
BE(ON)  
FE  
-830  
225  
200  
100  
5
-930  
m V I =-3A, V =-5V*  
C CE  
S ta tic fo rw a rd cu rre n t tra n s fe r ra tio  
100  
100  
45  
I =-10m A, V =-5V*  
C CE  
300  
I =-1A, V =-5V*  
C
CE  
I =-3A, V =-5V*  
C
CE  
I =-10A, V =-5V*  
C
CE  
Tra n s itio n fre q u e n cy  
f
120  
MHz I =-100m A, V =-10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Ou tp u t ca p a cita n ce  
S w itch in g tim e s  
C
33  
42  
p F  
n s  
V
=-10V, f=1MHz*  
OBO  
CB  
t
t
I =-1A, V =-50V,  
ON  
OFF  
C
CC  
636  
I
= -I =-100m A  
B1 B2  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300␮s; duty cycle Յ 2%.  
ISSUE 2 - AUGUST 2004  
4
123456

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ZX5T955GTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FZT955TA DIODES

类似代替

 SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
DPLS4140E-13 DIODES

类似代替

 LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
ZXTP2014GTA DIODES

类似代替

 140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR

与ZX5T955GTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZX5T955GTC DIODES

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 		140V PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR
ZX5T955TA DIODES

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