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ZX5T951ZTA

更新时间: 2024-01-20 15:38:26
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捷特科 - ZETEX 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89

ZX5T951ZTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):4.3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
Base Number Matches:1

ZX5T951ZTA 数据手册

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ZX5T951Z  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
am b  
PARAMETER  
S YMBOL  
MIN.  
-100  
-100  
-60  
TYP. MAX. UNIT CONDITIONS  
Co lle cto r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r-e m itte r b re a kd o w n vo lta g e  
Em itte r-b a s e b re a kd o w n vo lta g e  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
BV  
BV  
BV  
BV  
-120  
-120  
-80  
V
V
I =-100A  
C
CBO  
CER  
CEO  
EBO  
I =-1A, RBՅ1k⍀  
C
V
I =-10m A*  
C
-7  
-8.1  
Ͻ1  
V
I =-100A  
E
I
-20  
-0.5  
-20  
n A  
A  
n A  
A  
n A  
V =-80V  
CB  
CBO  
V
=-80V,T  
=100ЊC  
=100ЊC  
CB  
am b  
am b  
Co lle cto r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
V =-80V  
CB  
CER  
R Յ 1k⍀  
-0.5  
-10  
V =-80V,T  
CB  
Em itte r cu t-o ff cu rre n t  
I
Ͻ1  
-14  
-50  
V
=-6V  
EBO  
EB  
Co lle cto r-e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
V
-20  
m V I =-0.1A, I =-10m A*  
C B  
CE(S AT)  
-65  
m V I =-1A, I =-100m A*  
C B  
-75  
-110  
-215  
m V I =-2A, I =-200m A*  
C B  
-160  
m V I =-5A, I =-500m A*  
C B  
Ba s e -e m itte r s a tu ra tio n vo lta g e  
Ba s e -e m itte r tu rn -o n vo lta g e  
V
V
H
-950 -1050 m V I =-5A, I =-500m A*  
C B  
BE(S AT)  
BE(ON)  
FE  
-840  
250  
200  
90  
-950  
m V I =-5A, V =-1V*  
C CE  
S ta tic fo rw a rd cu rre n t tra n s fe r ra tio  
100  
100  
45  
I =-10m A, V =-1V*  
C CE  
300  
I =-2A, V =-1V*  
C
CE  
I =-5A, V =-1V*  
C
CE  
10  
25  
I =-10A, V =-1V*  
C CE  
Tra n s itio n fre q u e n cy  
f
120  
MHz I =-100m A, V =-10V  
T
C
CE  
f=50MHz  
Ou tp u t ca p a cita n ce  
S w itch in g tim e s  
C
48  
39  
p F  
n s  
V
=-10V, f=1MHz*  
OBO  
CB  
t
t
I =-1A, V =-10V,  
C CC  
ON  
OFF  
370  
I
=I =-100m A  
B1 B2  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300s; duty cycle Յ2%.  
ISSUE 2 - DECEMBER 2004  
4
S E M IC O N D U C T O R S  

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