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ZTX601STZ

更新时间： 2024-01-11 09:02:20

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	94K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZTX601STZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	5.05	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	CECC
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

ZTX601STZ 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 2 JUNE 94

ZTX600

ZTX601

FEATURES

160 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Gain of 5K at I_C=1 Amp

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX600

160

ZTX601

180

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

140

160

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX600

ZTX601

UNIT CONDITIONS.

MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO160

V_(BR)CEO140

V_(BR)EBO10

I_CBO

180

160

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.01

_CB=140V

V_CB=160V

_CB=140V,T =100°C

µA

0.01

V_CB=160V,T =100°C

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

V_EB=8V

µA

Colllector-Emitter

Cut-Off Current

I_CES

V_CES=140V

V_CES=160V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

0.75 1.1

0.85 1.2

0.75 1.1

0.85 1.2

I_C=0.5A, I_B=5mA*

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

1.7

1.9

1.7

1.9

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

1.5

1.7

1.5

1.7

IC=1A, V_CE=5V*

3-206

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX602	DIODES	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
ZTX602	ZETEX	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
ZTX602DA	ZETEX	Transistor	获取价格
ZTX602DB	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX602DC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX602DWP	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.041 X 0.041 INCH	获取价格