ZTX602

更新时间： 2024-01-20 21:28:25

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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ZTX602 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.18
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

ZTX602 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

DARLINGTON TRANSISTORS

ISSUE 1 MARCH 94

ZTX602

ZTX603

FEATURES

80 Volt V_CEO

1 Amp continuous current

Gain of 2K at I_C=1 Amp

P_tot= 1 Watt

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

ZTX602

ZTX603

100

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

I_C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

derate above 25°C

P_tot

5.7

mW/ °C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL

ZTX602

ZTX603

UNIT CONDITIONS.

MIN. MAX. MIN. MAX.

Collector-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)CBO80

100

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Emitter-Base

Breakdown Voltage

Collector Cut-Off

Current

0.01

_CB=60V

V_CB=80V

_CB=60V,T

_CB=80V,T

µA

0.01

=100°C

Emitter Cut-Off

Current

I_EBO

0.1

V_EB=8V

µA

Colllector-Emitter

Cut-Off Current

I_CES

V_CES=60V

V_CES=80V

µA

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

1.0

I_C=400mA,

I_B=0.4mA*

I_C=1A, I_B=1mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

1.8

1.7

1.8

1.7

I_C=1A, I_B=1mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

IC=1A, V_CE=5V*

3-209

12 3

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