ZTX550

更新时间： 2024-02-07 10:11:50

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关 PC 局域网
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2页	89K
描述
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

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ZTX550 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	25 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.25 V

ZTX550 数据手册

ZTX550

ZTX551

TYPICAL CHARACTERISTICS

100

-0.8

-0.6

ZTX551

ZTX550

ZTX551

-0.4

-0.2

I_C/I_B=10

-0.01

-0.1

-1

-10

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

IC - Collector Current (Amps)

I^C- Collector Current (Amps)

CE(sat)

v I

-1.0

-1.4

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.01

-0.1

-1

-10

-0.1

-1

-10

IC - Collector Current (Amps)

BE(sat)

v I

VBE(on) v IC

Single Pulse Test at T^amb=25°C

D.C.

100ms

10ms

1.0ms

0.3ms

0.1ms

0.1

0.01

0.1

100

VCE - Collector Voltage (Volts)

Safe Operating Area

3-195

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ZTX550 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX455STZ	DIODES	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 CO

与ZTX550相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZTX550DA	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX550DB	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX550DC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| CHIP	获取价格
ZTX550K	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,	获取价格
ZTX550M1	ZETEX	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC,	获取价格
ZTX550M1TA	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 STY	获取价格