ZMY62B

更新时间： 2024-02-27 10:56:09

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德欧泰克 - DIOTEC		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
3页	176K
描述
Zener Diode, 62V V(Z), 2%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2

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技术参数
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ZMY62B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

ZMY62B 数据手册

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

Surface Mount Silicon-Zener Diodes

Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2011-10-17

ZMY...G planar

ZMY... non-planar

ZMY3.0G ... ZMY9.1G

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V

Glass case – Glasgehäuse MELF

DO-213AB

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF

Weight approx. – Gewicht ca.

DO-213AB

0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

ZMY3.0G ... ZMY9.1G

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 25°C

P_tot

1.0 W ¹)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+175°C

T_J

T_S

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 150 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 70 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_tot

1.3 W ¹)

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

40 W

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

T_J

T_S

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 45 K/W ¹)

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to terminal

R_thT

< 10 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

Mounted on P.C. board with 50 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen

http://www.diotec.com/

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