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ZMY47B

更新时间: 2024-11-29 20:39:51
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德欧泰克 - DIOTEC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Zener Diode, 47V V(Z), 2%, 1.3W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2

ZMY47B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-213AB包装说明:O-PELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.75外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-PELF-R2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-50 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W标称参考电压:47 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:10 mABase Number Matches:1

ZMY47B 数据手册

 浏览型号ZMY47B的Datasheet PDF文件第2页 
ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%), ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)  
ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%),  
ZMY10B ... ZMY200B (1.3 W, 2%)  
Surface Mount Silicon-Zener Diodes  
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2012-02-23  
ZMY...G planar  
ZMY... non-planar  
ZMY3B9G ... ZMY9B1G  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.9...9.1 V  
Glass case – Glasgehäuse MELF  
DO-213AB  
ZMY10B ... ZMY200B  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-213AB  
0.12 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions - Maße [mm]  
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.  
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
ZMY3B9G ... ZMY9B1G  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 50°C  
Ptot  
1.0 W 1)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
TJ  
TS  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 150 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 70 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
ZMY10B ... ZMY200B  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 50°C  
TA = 25°C  
Ptot  
1.3 W 1)  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
40 W  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
TJ  
TS  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to terminal  
RthT  
< 10 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss  
2
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 

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